- Samsung dan SK Hynix mendahului perlumbaan memori HBM4E dengan kelajuan sehingga 16 Gbps dan kapasiti 48 GB.
- Memori ini menawarkan lebar jalur yang besar sehingga 3,6 TB/s, menghapuskan kesesakan dalam LLM.
- Seni bina baharu ini mengurangkan penggunaan tenaga secara drastik dan menambah baik pengurusan terma di pusat data.
Jika anda pernah tertanya-tanya apa yang benar-benar membolehkan model bahasa besar-besaran berjalan lancar, jawapannya bukan sahaja terletak pada pemproses, tetapi juga pada ingatan. Kita sedang menyaksikan perang teknologi yang sebenar di mana ingatan jalur lebar tinggi (HBM) telah menjadi bahan yang paling dicari dan rahsia untuk memastikan pemecut pusat data berjalan lancar. Untuk lebih memahami perbezaan ini, adalah berguna untuk mengetahui jenis ingatan komputer yang wujud pada masa kini.
Dalam senario ini telah muncul HBM4E, satu evolusi yang menjanjikan untuk membuatkan kita tidak dapat berkata-kata. Ia bukan sekadar lonjakan teknikal yang kecil, tetapi konfigurasi semula sepenuhnya tentang bagaimana data bergerak dalam sistem AI yang paling mencabar, membolehkan GPU memproses maklumat pada kelajuan yang sehingga baru-baru ini kelihatan seperti fiksyen sains.
Lompatan kualitatif Samsung dengan HBM4E
Samsung tidak berlengah dan telah mula mengedarkan sampel HBM4E 12 lapisannya kepada pelanggan terpentingnya. Perkakasan ini sangat hebat, mencapai kelajuan stabil 14 Gbps setiap pin, walaupun ia boleh diskalakan sehingga 16 Gbps . Berbanding dengan HBM4 standard, ini mewakili peningkatan lebih 20%, diterjemahkan kepada lebar jalur sehingga 3,6 terabait sesaat setiap tindanan.
Dari segi kapasiti, konfigurasi 12 lapisan menawarkan 48GB, peningkatan 30% berbanding generasi sebelumnya. Tetapi Samsung tidak berhenti di situ, kerana ia juga mempunyai versi 32GB (8 lapisan) dan 64GB (16 lapisan) yang sedang dibangunkan untuk memenuhi sebarang keperluan, daripada inferens ringan hinggalah kepada model latihan yang besar.
Teknologi canggih: Kecekapan dan Haba
Salah satu masalah terbesar dalam pusat data ialah penggunaan haba dan kuasa. Di sinilah HBM4E menonjol, mencapai pengurangan penggunaan tenaga sebanyak 16% dan peningkatan rintangan haba lebih daripada 14%. Untuk mencapai kejayaan luar biasa ini, Samsung telah menggabungkan proses DRAM generasi keenamnya (kelas 10nm, 1c) dengan asas logik yang dihasilkan menggunakan proses 4nm.
Tambahan pula, mereka telah memperkenalkan teknologi ikatan kuprum hibrid (HCB) . Kaedah ini penting kerana ia akan membolehkan penyusunan 16 atau lebih lapisan pada masa hadapan, sekali gus mengurangkan rintangan haba sebanyak lebih daripada 20% berbanding teknologi TCB. Pada asasnya, mereka menjadikan cip lebih berkuasa tanpa ia terlalu panas seperti relau , sesuatu yang penting untuk ketumpatan pelayan moden.
Pertempuran menentang SK Hynix dan ekosistem NVIDIA
Bukan semuanya berjalan lancar untuk Samsung, kerana SK Hynix juga telah memasuki persaingan, menghantar sampel HBM4E 12-lapisan, 48GB sendiri. Firma Korea itu bergantung pada teknologi Advanced MR-MUF untuk memastikan susunan yang stabil dan mempunyai peningkatan haba sebanyak 17% berbanding HBM4. Kedua-dua syarikat gergasi itu bersaing untuk menjadi pembekal pilihan untuk seni bina seperti platform NVIDIA Vera Rubin atau cip AMD Instinct MI500.
Samsung cuba memainkan peranan pentingnya: sebagai satu-satunya syarikat yang mampu menawarkan penyelesaian AI yang lengkap . Dengan mengawal memori, logik, tuangan acuan dan pembungkusan canggih, mereka dapat mengoptimumkan setiap milimeter cip. Ini ditunjukkan dengan jelas di GTC 2026, di mana mereka mempamerkan produk seperti SOCAMM2 untuk pelayan dan SSD PM1763 dengan antara muka PCIe 6.0, yang direka khusus untuk memaksimumkan kecekapan dalam infrastruktur NVIDIA.
Di luar pelayan: Kesan terhadap pengguna
Walaupun anda tidak merancang untuk membeli modul HBM4E untuk PC anda, ini akan memberi kesan langsung kepada anda. Infrastruktur ini merupakan asas kepada perkhidmatan awan yang kita gunakan setiap hari. Memori yang lebih pantas bermakna kos inferens yang lebih rendah dan tindak balas yang lebih lancar daripada AI generatif. Tambahan pula, Samsung menggunakan pengetahuan yang serupa pada memori mudah alih LPDDR6nya, yang akan mencapai kelajuan antara 30 dan 35 Gbps setiap pin.
- HBM4E: Kelajuan sehingga 16 Gbps dan lebar jalur 3,6 TB/s.
- Kecekapan: Penggunaan elektrik yang lebih rendah dan pengurusan haba yang lebih baik hasil daripada proses 4nm dan HCB.
- Pertandingan: Pertempuran sengit antara Samsung dan SK Hynix untuk membekalkan NVIDIA dan AMD.
- Ekosistem: Integrasi memori, pemutus dan pembungkusan ke dalam satu aliran kerja.
Penggunaan memori berkelajuan tinggi dan berkapasiti tinggi ini menandakan permulaan era di mana AI tidak lagi akan dihadkan oleh akses data yang perlahan. Dengan ketibaan HBM4E dan pengoptimuman proses pembuatan melalui kembar digital dan AI agentif, kita menyaksikan asas material yang akan menyokong gelombang besar kecerdasan buatan seterusnya, menjadikan sistem lebih padat, lebih sejuk dan sangat pantas.
